









单片集成电路工艺
利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到---、---规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束---制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和硅化物薄膜,以及多层互连结构等工艺。









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开放式---(电磁炉和一代光波炉是封闭式),---原材料的---:镍铬金属---体(德国---盘),它将电热能转变为红外线,同时电陶炉有些具备双环模式,即可选择是大---环---,还是小---环---,陶瓷电阻板印刷,更人性化和更省电。
功率式---(一代光波炉是卤素管或碳纤维管等),其功率:1500w,而且可以任意选择:热奶、煲汤、烧水、烧烤、爆炒、火锅等不同功能,---的体现了可选性强的特性。(电磁炉和一代光波炉可选性少)。
1、温度高:炉芯可以在3秒钟之内加热,炉面温度可---200度左右,主要特点
可以爆炒,符合---烹饪习惯。
2、不挑锅,不管是铁的、铝的、陶瓷的、玻璃的……只要是平底锅都可以放心在电陶炉上使用。(玻璃的可能会开裂,要避免---温多次加热)
3、无辐射:采用红外线---原理,没有电磁炉的高频电磁波的辐射,无明火,属于无污染和无害人体物质的健康产品。
4、热效应,采用---的远红外加热炉芯作为---体,陶瓷电阻板电子,使用新型的耐火隔热材料,底板和周边的热损失小,受热、导热均匀,热效更高。
5、温控节能:采用工业级温度控制系统,更准确控温,当炉面温度达到饱和时,微电脑系统就会自动识别,让电陶炉进入后台半功率工作,这样可以---炉面温度的一致稳定,中心保护昂贵的黑晶面板。
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单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点,可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大,可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路,一般选用混合工艺方式,也就是采用标准化的单片集成电路,加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易,电路设计灵活,生产周期短,散热---,压力陶瓷电阻板,所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外,由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线,在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面,可将---集成电路芯片组装成---规模集成电路,也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。
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